Kinetis内部培训资料

FSL_TICS_MAHUI

LPT可以工作在轮询模式和中断模式下，通常使用中断模式。
 

根据LPT工作于不同的模式下，LPT_PSR会有不同的配置。
当LPT_PSR[BPYP]置位时，[PRESCALE]位设定值将会被忽略，计数时钟与LPT模块参考时钟同频。
 

当LPT工作于脉冲计数时，LPT_PSR[PRESCALE]位用于设定毛刺滤波时间。
当LPT_PSR[BPYP]置位时，输入管脚每来一个脉冲，脉冲计数器会加1。

jayyf1

回复第 4 楼 于2013-05-08 19:36:24发表
怎样下载？

FLASH篇

 

 

 

首先给大家介绍下FlexMemory，顾名思义，就是应用很灵活的存储器，这个灵活指的是结构和用途的灵活，支持FlexMemory的设备，除了从0x00000000起始的PFlash用于存放代码外，还提供了一块用作存放代码或数据的DFLASH, 并且这个DFLASH还能拿出一部分或全部的空间配合FlexRAM组成EEPROM。从而无需外部外部额外添加EEPROM，节省了成本，并且性能卓越，可擦写次数可达10M以上。

 

从上图可以看到，FlexMemory由FlexNVM，FlexRAM和内置的固件firmware组成，firmware的作用是提供文件系统的管理功能，把flexNVM和FlexRAM组合起来，仿真成EEPROM，可支持字节的读写擦等操作，并且支持代码在PFLASH里执行的时候同时访问EEPROM。而且FlexNVM和FlexRAM也可单独使用，FlexNVM可以用来存放代码或数据，用来存放代码时请注意这块空间和通常存放代码的PFLAH在地址上是不连续的，所以不能把一个函数分开存放在PFLASH和FlexNVM中。FlexRAM单独使用的时候可以作为系统RAM的一部分，或者在执行Flash Section Program命令时用作buffer。FlexNVM可以在组成EEPROM的时候把一部分用作flash，但FlexRAM不能这么做，作为EEEPROM的时候就不能当RAM用了。

 

 

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实时时钟模块（RTC）培训材料

RTC即实时时钟模块。
RTC振荡器框图，提供可配置的负载电容，提供反馈电阻以及振幅增益控制。
RTC振荡器提供RTC模块参考时钟。
 

RTC模块主要特性：
独立供电系统，通过VBAT管脚提供RTC模块和外部32.768KHz晶振电源，芯片主电源掉电后，RTC模块可以正常工作。
RTC模块使用32位的计数器。
提供闹钟功能（以秒为单位）。
RTC振荡器提供内部反馈电阻，可配置的反馈电容，不需要再外接电容和电阻。
自动增益控制，可以有效降低功耗。
提供.12ppm到3906ppm时钟补偿功能。
寄存器提供写保护机制。
 

RTC模块寄存器配置首先需要SIM模块使能模块时钟，RTC模块产生中断需要配置NVIC相应寄存器。

FSL_TICS_MAHUI

RTC模块寄存器配置顺序：
RTC模块具有两种操作模式，系统加电和系统掉电。系统加电时RTC模块由VBAT供电，所有的RTC寄存器在SIM模块RTC时钟使能后可以访问。
VBAT上电后或者RTC模块软件复位后（请注意是RTC模块软复位，而不是芯片软复位），需要重新使能RTC振荡器，并且清除时钟无效标志位，写入正确的秒数。秒和预分频寄存器必须在计数器未工作之前配置，RTC振荡器需要在RTC模块开始工作前开启。
在系统掉电模式下，RTC可以继续工作，RTC寄存器无法访问。
 

通过设置RTC_TCR寄存器来配置实时时钟补偿值，[CIR]控制补偿间隔，[TCR]设置补偿值。
RTC状态，控制，补偿寄存器可以被保护（lock），一旦lock之后必须要通过VBAT上电复位或者RTC软复位来解除lock。
读写存储寄存器可以控制RTC寄存器的读写属性。
 

RTC控制寄存器
[OTE]位配置RTC振荡器处于测试模式；
[SCxP]选择负载电容值；
[CLKO]使能其他模块可以使用RTC振荡器产生时钟，例如MCG要工作于FEE模式时，需要使能这一位；
[OSCE]使能RTC振荡器；
[UM]允许TSR和TPR寄存器在RTC计数器不工作时可以更改；
[SUP]设定RTC寄存器可以在用户模式下被访问；
[WPE]使能RTC唤醒功能；
[SWR]产生RTC模块软复位。

FSL_TICS_MAHUI

RTC模块只对应一个中断服务向量，所以在产生中断时要轮询中断状态位，确定什么原因产生的中断。
闹钟标准，TSR溢出，时钟无效或者VBAT掉电均可产生中断。
可以在任何低功耗模式下唤醒内核。
可以通过RTC外部唤醒管脚唤醒外围设备。
 

提供32字节VBAT存储空间，可以在任何低功耗模式下保留数据。
 

硬件电路设计，RTC需要选用32.768KHz晶振。
不需要外部负载电容和反馈电阻。
内部提供负载电容和反馈电阻。

shhu1993

楼主有没有其他的资料

shenyunh

回复第 4 楼 于2013-05-08 19:36:24发表:

FLASH篇

 

 

 

首先给大家介绍下FlexMemory，顾名思义，就是应用很灵活的存储器，这个灵活指的是结构和用途的灵活，支持FlexMemory的设备，除了从0x00000000起始的PFlash用于存放代码外，还提供了一块用作存放代码或数据的DFLASH, 并且这个DFLASH还能拿出一部分或全部的空间配合FlexRAM组成EEPROM。从而无需外部外部额外添加EEPROM，节省了成本，并且性能卓越，可擦写次数可达10M以上。

 

从上图可以看到，FlexMemory由FlexNVM，FlexRAM和内置的固件firmware组成，firmware的作用是提供文件系统的管理功能，把flexNVM和FlexRAM组合起来，仿真成EEPROM，可支持字节的读写擦等操作，并且支持代码在PFLASH里执行的时候同时访问EEPROM。而且FlexNVM和FlexRAM也可单独使用，FlexNVM可以用来存放代码或数据，用来存放代码时请注意这块空间和通常存放代码的PFLAH在地址上是不连续的，所以不能把一个函数分开存放在PFLASH和FlexNVM中。FlexRAM单独使用的时候可以作为系统RAM的一部分，或者在执行Flash Section Program命令时用作buffer。FlexNVM可以在组成EEPROM的时候把一部分用作flash，但FlexRAM不能这么做，作为EEEPROM的时候就不能当RAM用了。

 

 

iwqtthf

 

 
很好，怎样下载啊，提供下PDF的吧。

tyqhaha-180310

不错不错，是M4的