集成GaN技术，恩智浦 5G多芯片模块效率提升8%！
近日，中科院微电子研究所高频高压中心刘新宇研究员团队与中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队合作，基于前期在高性能n沟道超薄势垒增强型HEMT（或n-FETs）研究中积累的研发基础，结合氮化物特有的极化能带调控引入AlN极化插入层
2021年是整个世界决定向氮化镓(GaN)敞开大门的过渡年。在2022年国际消费性电子展(CES 2022)期间，GaN业界的多位专家在接受采访时均肯定GaN如今更优于硅的能力。
GaN器件的目标应用是输入电压在24 V到150 V之间，通常是48 V。关键应用是无刷直流电机，即BLDC。典型的应用是伺服驱动器、电动自行车和电动滑板车、协作和低电压机器人和医疗机器人、工业用无人机，以及车载电机。在这些应用中，电机驱动器被集成到电机上，小型化和低重量是氮化镓器件的关键优势。最后，更高的电池效率对延长电池寿命至关重要。
近日，微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质，成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT，并通过远程等离子体预处理（RPP）技术，在EC - ET > 0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1，实现了低界面态密度，减小了器件的关态泄漏电流，保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比，MIS-HEMT器件沟道载流子迁移率显著提高，器件电流崩塌效应得到抑制，在30GHz连续波测试中
在全世界都在对 5G 的技术进步感到无比兴奋的同时，设计人员现在正忙于如何为基站提供电力供应而努力。5G 未来成功的核心是其能否实现三大期望目标：巨大的数据吞吐量、超低延迟和大规模连接（见图 1）。4G 基站能够提供强大的下行链路，但上行链路则有待提高。相比之下，仅 5G 基站在上行链路能力方面的改进就需要更多功率，再加上每个需要基站支持的更高数据吞吐量和更多用户数量，只会进一步增大设计工程师面临的挑战。最重要的是，在相关基础设施的布置方面也存在一些实际问题。
